Чириков-Зорин И.Е.: "Новый метод определения напряжения лавинного пробоя кремниевых фотоумножителей".
→
Europe/Moscow
Конференц-зал (Лабораторный корпус ЛЯП)
Конференц-зал
Лабораторный корпус ЛЯП
Description
Рассмотрен лавинный пробой и гейгеровский режим работы кремниевого p-n перехода. Предложен прецизионный физически мотивированный метод определения напряжения лавинного пробоя кремниевых фотоумножителей (Si ФЭУ). Метод основан на измерении зависимости эффективности регистрации фотона PDE от напряжения смещения при инжекции в зону лавинного размножения p-n перехода одного типа носителей (электрона или дырки). Инжекция электрона или дырки из базовых областей полупроводниковой структуры Si ФЭУ осуществляется с помощью коротковолнового или длинноволнового света. При малых перенапряжениях (1-2 В) эффективность регистрации линейно зависит от напряжения смещения и поэтому экстраполяция PDE до нулевого значения определяет напряжения лавинного пробоя Si ФЭУ с точностью ~ 10-3 В.
