1–5 апр. 2024 г.
г. Дубна, ОИЯИ
Europe/Moscow timezone

Преобразователь энергии бета-распада радионуклида C-14 в тонкой пленке SiC/Si

3 апр. 2024 г., 18:30
15m
Конференц-зал ЛЯП

Конференц-зал ЛЯП

Speaker

Михаил Долгополов

Описание

Для повышения производительности интегрированных бета-элементов разработаны активированные полупроводники, являющиеся комбинацией инжектора и преобразователя энергии бета-распада радионуклида в одном материале. Они содержат активированную тонкую пленку SiC в качестве преобразователя. Результаты показывают, что гетероструктура Si14C/Si улучшила выходные характеристики преобразователя за счет уменьшения потерь из-за самопоглощения и распределения зарядов и энергии во внутреннем инжекторе.

Primary author

Presentation materials