Choose timezone
Your profile timezone:
Powered by Indico
v3.3.4
1. Технологические услуги ЗНТЦ / Ширкова Г.А. (начальник кристального производства ЗНТЦ)
* Интегрированный производственный комплекс ЗНТЦ включает в себя:
1) Дизайн-центр. Выполняет проектирование систем на кристалле, СБИС (сверхбольшая интегральная
схема), МЭМС (Микроэлектромеханические системы), магниторезистивных датчики, блоков управления.
Проектная норма - от 180 нм.
2) Кристальное производство. Производит интегральные микросхемы, МЭМС. Используются технологии
КМОП, МЭМС, MOSFET/IGBT. Диаметр кремниевых пластин 150 мм, проектные нормы 600 - 350 нм,
производственная мощность - 300 пластин в месяц.
3) Сборка микросхем. Выполняется 3D сборка системы в корпусе. Используемые технологии сборки:
flip-chip монтаж, WLP(wafer level packaging), 3d TSV(through silicon via). В случае флип-чип
монтажа совмещение выполняется с точностью до 500 нм.
4) Испытательная база. Выполняется полный комплекс сертификационных испытаний и измерений ЭКБ
(электронная компонентная база).
ЗНТЦ оказывает услуги контрактного производства. Есть изделия полного цикла (1-4). Возможно как
изготовление опытных образцов, так и серийное производство.
2. Разработка гибридного пиксельного детектора / Змеев С.В. (инженер участка 3D сборки микросхем ЗНТЦ)
* Сенсорная часть детектора представляет собой кристалл с чувствительной частью к ионизирующим
частицам с эпитаксией, в которой будет диод и, возможно, карман. FE часть производится отдельно и
включает в себя усилитель и цифровую часть на КМОП 180 нм. После получения обоих кристаллов они
стыкуются по флип-чип технологии, и интерфейсную часть уже разваривают на плату, подобно тому,
как в ЦЕРНе делается пиксельный детектор ATLAS. Группа ЗНТЦ участвовала в флип-чип сборке этого
детектора.
* На базе ЗНТЦ можно сделать только сенсорный кристалл (технологии 350 нм). Кристалл FE надо делать
на базе Микрона (технологии 180 нм). Флип-чип стыковку кристаллов и последующее тестирование также
можно делать в ЗНТЦ.
* Кроме Микрона, кристалл FE можно также заказать на китайском фабе. Представители дизайн-центра
ЗНТЦ, которые владеют соответствующей информацией, на совещании не присутствовали, но при
необходимости с ними также можно организовать встречу.
* Для того, чтобы начать серьезное обсуждении с разработчиками, необходимо техническое задание с
основными характеристиками детектора, т.е. размер ячейки, допустимая толщина кремния, радиационная
стойкость, допустимая потребляемая мощность и т.д. На текущий момент есть договоренность с
Феофиловым Г.А. и Жеребчевским В.И., что они напишут несколько страниц в TDR/SPD по MAPS.
В принципе, этот текст можно будет взять за отправную точку для ТЗ по пиксельному детектору.
* ВременнЫе и финансовые масштабы проекта детектора. Ввиду того, что обсуждение характеристик
детектора только начинается, получить работающий детектор получится не раньше, чем через ~10 лет.
Финансовые затраты составят 100-200 Мруб.
Комментарий Гуськова А.В: Бюджет ОИЯИ в следующем году сократится на 10-15%, так как из института
выходят несколько стран. В этих условиях вероятность активного финансирования проекта со стороны
SPD (или в целом ОИЯИ) маловероятна. Кроме того, целевое финансирование SPD планируется начать
только в 24-25 гг. Тем не менее, есть некоторая вероятность, что деньги для институтов-участников
Ники выделит министерство (вполне возможно, что и в следующем году).