Speaker
Description
Представлены результаты исследования детекторов из карбида кремния (SiC) [1, 2] и кремния (Si). Облучение проводилось с помощью 4-х образцовых спектрометрических α-источников (ОСАИ) с энергиями E = 4,8 ÷ 7,7 МэВ. Толщина эпитаксиального слоя n-типа SiC-детекторов составляла 25 и 50 мкм. Контакты Шоттки диаметром 3,0 мм были изготовлены путем вакуумного испарения двойного слоя Ni и Au. Исходное энергетическое разрешение детекторов составляло < 25 кэВ. Si-детекторы изготовлены по планарная технология на кремнии n-типа. Контакты — имплантация В и Р (+Al). Рабочая площадь 2.6×2.6 мм^2, толщина 300 мкм.
Радиационная стойкость SiC- и Si-детекторов исследовалась до и после облучения альфа-частицами с интегральными потоками до ~ 1.1×10^11 α/см^2.
Показано, что после облучения α-частицами наблюдалась значительная деградация: пики от α-частиц сместились в сторону меньших каналов и стали шире. Установлено, что с увеличением дозы облучения энергетическое разрешение ухудшается в 2.8-11.5 раз для SiС 50 мкм, в 1.5-3.4 раза для SiС 25 мкм и в 1.5-1.8 раза для Si. При этом эффективность сбора заряда (CCE) снизилась со 100% до 86% (рабочее напряжение 200-300 В) для SiC 50 мкм, со 100% до 94% (рабочее напряжение 200 В) для SiС 25 мкм и со 100% до 98% (рабочее напряжение 100 В) для Si при дозе α-излучения ~ 1.1×10^11 α/см^2 соответственно.
Работа поддержана грантом ОИЯИ для молодых специалистов № 23-202-03.
| Section | Experimental and theoretical studies of nuclear reactions |
|---|
